时间：2022-01-21 07:48:01 / 来源：
IT之家 阅读量：5847
，根据外媒 VideoCardz 消息，ISSCC 2022即将举办，SK 海力士将展现更快的 12 层堆叠的 HBM3 高速内存此外，三星将发布速度更快的 GDDR6 芯片
SK 海力士于 2021 年首次推出了 12 层 HBM3 内存，速度达到了 820 GB/s，而这款芯片的性能如今可以达到 896 GB/s。
SK 海力士这款 HBM3 内存芯片采用 TSV 硅通孔工艺制造，单颗最大容量可达 24GB目前这类产品在服务器 CPU 中有应用，与处理器核心紧密封装在一起，实现高速率海力士还表示，这款芯片使用了自动校准和机器学习优化技术目前，还不知道该产品是否会很快量产
本站了解到，文件中三星电子也表示，将展示 16Gb 27Gb/s GDDR6 显存芯片，该产品将采用T—coil 电路结构，实现更高的速度此前的 GDDR6 显存最高带宽为 24Gb/s，这款新品速度超过了第一代，有望使显卡获得更好的性能表现
ISSCC 2022 大会将于 2 月 24 日举办，届时 SK 海力士的高管将介绍更详细的内容。新思科技的DesignWareHBM3控制器IP还支持多种灵活配置，包括纠错码，刷新管理，奇偶校验等先进的RAS功能，可以最大限度减少内部库存延迟，优化数据完整性。具体来说，该方案中的HBM3芯片利用专用微凸点阵列与中间通信层连接，中间层采用内部布线设计，灵活性更大，有助于减少长度。。
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